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PPTC保護(hù)器件及其應(yīng)用
本文主要介紹PPTC保護(hù)器件，首先介紹了它的基本原理，然后著重介紹了它在無(wú)線電子產(chǎn)品、電池組、充電器、電源轉(zhuǎn)換器及變壓器中的應(yīng)用。
2008-10-23
PPTC保護(hù)器件 應(yīng)用
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接地電阻測(cè)試儀簡(jiǎn)介
本文介紹了接地電阻測(cè)試儀，接地電阻測(cè)試與發(fā)展。
2008-10-23
接地電阻 測(cè)試儀 鉗式 測(cè)試工具
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在便攜應(yīng)用中采用TVS二極管進(jìn)行ESD保護(hù)
本文介紹了手機(jī)中的ESD保護(hù)部分，ESD在設(shè)計(jì)中的選擇，TVS二極管的優(yōu)勢(shì)、工作原理和基本參數(shù)選擇，TVS二極管在超高速數(shù)據(jù)線路保護(hù)中的應(yīng)用，PCB設(shè)計(jì)時(shí)的考慮。
2008-10-23
ESD TVS二極管 PCB設(shè)計(jì)
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江西首個(gè)多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在樟樹正式投產(chǎn)
10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬(wàn)美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬(wàn)噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個(gè)投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)
本文主要介紹了一種研究電流和時(shí)域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時(shí)域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD測(cè)試工具 TLP
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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過(guò)壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門
過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過(guò)壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過(guò)壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...
2008-10-23
過(guò)壓保護(hù) 電路 MOSFET
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印制電路板上的電磁干擾及抑制
本文主要討論在印制電路板的布線設(shè)計(jì)中電源布線和信號(hào)布線的電磁干擾問題，并提出解決途徑：抑制電源布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法；抑制信號(hào)布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有增大信號(hào)線之間的距離，減小信號(hào)線與地之間的距離；同時(shí)，設(shè)計(jì)印制電路板還應(yīng)遵循一定的抗干...
2008-10-23
印制電路板 電磁干擾 抑制
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靜電在LED顯示屏生產(chǎn)過(guò)程中的危害及防護(hù)措施
如何規(guī)范化生產(chǎn)，如何生產(chǎn)出真正意義上的低衰減、長(zhǎng)壽命的 LED顯示屏產(chǎn)品？本文僅從LED顯示屏生產(chǎn)過(guò)程的靜電防護(hù)角度，討論該過(guò)程靜電帶來(lái)的危害及其防護(hù)方法。
2008-10-23
靜電 LED 防護(hù)措施 危害
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