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NS-34R：Epson Toyocom高性能的表面聲波(SAW)諧振器
Epson Toyocom將表面聲波（SAW）諧振器的設(shè)計(jì)技術(shù)和超精密制造技術(shù)相融合，開發(fā)出以基波對應(yīng)振蕩頻率為2.5GHz的高頻、同時(shí)達(dá)到±200×10-6的高度頻率穩(wěn)定度的表面聲波（SAW）諧振器NS-34R。計(jì)劃在2008年度內(nèi)實(shí)現(xiàn)商品化。
2008-06-25
NS-34R 表面聲波諧振器SAW
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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率電阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻，該器件采用易于安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。
2008-06-25
D2TO35 厚膜電阻
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D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率電阻
Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻，該器件采用易于安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。
2008-06-25
D2TO35 厚膜電阻
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ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF設(shè)備和便攜應(yīng)用ESD保護(hù)產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能片外靜電放電(ESD)保護(hù)產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護(hù)平臺設(shè) 計(jì)，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。
2008-06-23
ESD保護(hù) ESD7L5.0 NUP4212 便攜應(yīng)用 RF天線
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ESD7L5.0D/NUP4212：安森美RF設(shè)備和便攜應(yīng)用ESD保護(hù)產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能片外靜電放電(ESD)保護(hù)產(chǎn)品系列，推出兩款新器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導(dǎo)體專有的集成ESD保護(hù)平臺設(shè) 計(jì)，提高了鉗位電壓性能，同時(shí)保持低電容和小裸片尺寸。
2008-06-23
ESD保護(hù) ESD7L5.0 NUP4212 便攜應(yīng)用 RF天線
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VLMx32**：Vishay 新型熱增強(qiáng)型功率SMD LED
Vishay宣布推出新系列功率表面貼裝LED，這些器件極大改進(jìn)了散熱與亮度。新型 VLMx32..器件采用帶引線框的 PLCC-4 封裝，可實(shí)現(xiàn)比采用 PLCC-2 封裝的 Vishay 高強(qiáng)度 SMD LED 的亮度提高了一倍。對于汽車應(yīng)用，VLMx32**器件已通過 AEC-Q101 汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
2008-06-20
VLMx32 LED
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全印制電子技術(shù)帶給PCB工業(yè)變革與進(jìn)步
全印制電子的噴墨打印技術(shù)在pcb中的應(yīng)用主要表現(xiàn)在三個(gè)方面：在圖形轉(zhuǎn)移中的應(yīng)用；在埋嵌無源元件中的應(yīng)用；在直接形成線路和連接的全印制電子(含封裝方面)中的應(yīng)用。這些應(yīng)用為PCB產(chǎn)業(yè)帶來變革和進(jìn)步。
2008-06-18
全印制電子技術(shù)
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
Si8445DB 功率MOSFET
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ADXL001：ADI公司基于MEMS的振動(dòng)傳感器
ADI最新推出一款寬帶寬的MEMS振動(dòng)傳感器ADXL001，可以更好的監(jiān)控工廠設(shè)備性能，縮短因不可預(yù)測的系統(tǒng)故障造成的高成本宕機(jī)時(shí)間。ADXL001工業(yè)振動(dòng)與沖擊傳感器基于ADI公司的運(yùn)動(dòng)信號處理技術(shù)，使工業(yè)過程控制儀器設(shè)計(jì)人員采用簡單的傳感器解決方案就可實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比、高性能且可靠的寬帶振動(dòng)監(jiān)控。
2008-06-10
ADXL001 振動(dòng)傳感器
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