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加速度計(jì)與MEMS明日之星
電容式加速度計(jì)是將被測(cè)非電量的變化轉(zhuǎn)換為電容量變化的一種傳感器。本文主要是介紹該加速度計(jì)的優(yōu)點(diǎn)以及隨著MEMS和半導(dǎo)體制程的進(jìn)步該加速度計(jì)的發(fā)展趨勢(shì)。
2008-10-25
電容式加速度計(jì) MEMS 電容式麥克風(fēng)
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工業(yè)應(yīng)用中傳感器數(shù)字I/O模塊的選擇
數(shù)字傳感器以及由數(shù)字信號(hào)驅(qū)動(dòng)的激勵(lì)器的應(yīng)用非常廣泛，幾乎所有現(xiàn)實(shí)中的變量測(cè)量中都可以找到數(shù)字傳感器的應(yīng)用，本文首先根據(jù)輸出信號(hào)和電路接口的類(lèi)型對(duì)數(shù)字傳感器分類(lèi)，然后指出在選擇與傳感器接口的數(shù)字I/O模塊時(shí)應(yīng)注意哪些問(wèn)題。
2008-10-25
數(shù)字傳感器 I/O
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新日光能源簽下3.34億歐元電池片協(xié)議
臺(tái)灣太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)商新日光能源科技股份有限公司日前宣布與荷蘭的光伏組件生產(chǎn)商Scheuten Solar Technology GmbH簽署了一份長(zhǎng)期合約。
2008-10-24
電池組件
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我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)出口仍將穩(wěn)步發(fā)展
在日前舉辦的“2008中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)高峰論壇”上，商務(wù)部部長(zhǎng)助理崇泉表示，目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)從高速增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橹兴僭鲩L(zhǎng)，增速趨于平穩(wěn)，但是中國(guó)作為世界電子信息產(chǎn)品制造中心的地位不會(huì)改變。目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)形成了全方位、多層次的開(kāi)放格局。隨著經(jīng)濟(jì)全球化的深入發(fā)展，我國(guó)電子信息...
2008-10-24
電子信息產(chǎn)業(yè)
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新型光學(xué)加速度傳感器動(dòng)力學(xué)性能設(shè)計(jì)
本文針對(duì)基于菲涅耳衍射微透鏡的新型光學(xué)加速度傳感器設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)單實(shí)用的敏感加速度的振動(dòng)系統(tǒng)，它是由一個(gè)微彈性機(jī)械結(jié)構(gòu)連接在外框架上構(gòu)成。微彈性機(jī)械結(jié)構(gòu)是在一塊硅片上通過(guò)簡(jiǎn)單的MEMS工藝加工的，可以通過(guò)改變硅片的厚度和彈性臂的寬度來(lái)設(shè)計(jì)不同的彈性系數(shù)和振動(dòng)系統(tǒng)的固有頻率，以滿(mǎn)足傳...
2008-10-24
傳感器 新型 光學(xué)加速度
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功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問(wèn)題，通過(guò)對(duì)功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計(jì)算，得出散熱方式的設(shè)計(jì)和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設(shè)計(jì) 功率器件 散熱計(jì)算
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中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè) 本土市場(chǎng)嚴(yán)重滯后
短短幾年內(nèi)，我國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)量躍居世界第一，10家企業(yè)海外上市。中國(guó)生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池95%以上銷(xiāo)往國(guó)外，歐洲、美國(guó)、日本是主要的買(mǎi)家，而國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)遠(yuǎn)未形成。
2008-10-23
太陽(yáng)能電池 光伏產(chǎn)業(yè)
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ABB變頻器在風(fēng)力發(fā)電行業(yè)的應(yīng)用
本文簡(jiǎn)介了四種風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)，講述了變速恒頻雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)工作原理以及ABB風(fēng)力發(fā)電變頻器，最后講了一個(gè)應(yīng)用案例。
2008-10-23
風(fēng)力發(fā)電 ABB 變頻器
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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導(dǎo)體 開(kāi)關(guān) 外殼
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