
別肉疼了,實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)解決開關(guān)電源電路的炸機(jī)
發(fā)布時間:2014-11-28 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】還在為開關(guān)電源電路的炸機(jī)狀況感到頭痛嗎?別頭疼了,小編為大家總結(jié)了眾多工程師們在次級穩(wěn)壓反激電路中的實(shí)踐問題,并且對其進(jìn)行分析與整理,希望能夠解決一些對我們在電路設(shè)計(jì)中出現(xiàn)的炸機(jī)問題。給大家做個參考。
開關(guān)電源電路的炸機(jī)狀況總會成為每個電源工程師心中難以明喻的“痛”,里面昂貴的元器件如果出現(xiàn)炸機(jī)狀況,那么在設(shè)計(jì)過程中的成本就會大幅提升。當(dāng)然,這會使得工程師們無比肉痛,但我們總是在實(shí)踐中才能摸索和得出正確且豐富的經(jīng)驗(yàn)。本文中匯總了工程師們在次級穩(wěn)壓反激電路中的實(shí)踐問題,并且對其進(jìn)行分析與整理,希望能夠解決一些對我們在電路設(shè)計(jì)中出現(xiàn)的炸機(jī)問題。
實(shí)戰(zhàn)問題一:原邊Rsense電阻短路后再開機(jī),會炸機(jī)嗎?
炸機(jī)問題可以分幾種情況,以2843系列為例,采樣電阻短接就直接使得電流環(huán)的功能失靈了,其次按照常理應(yīng)該是會進(jìn)入電壓控制的輸出反饋環(huán)路進(jìn)行穩(wěn)壓,且占空比始終開到最大。 但實(shí)際情況是去掉電流環(huán)流環(huán)路后,沒有了逐周期的電流檢測進(jìn)行矯正,電壓環(huán)路的速度是相對較慢的(無法實(shí)現(xiàn)輸入功率跟隨輸出功率的工作)。無法對電感這么大的慣性環(huán)節(jié)進(jìn)行有效調(diào)整, 所以環(huán)路震蕩,驅(qū)動進(jìn)入無序的模式(不再是定頻的)且輸入能量過剩,電感CCM模式?;谥罢f的只有電壓環(huán)工作與炸機(jī)的關(guān)系(環(huán)路必然是震蕩的)。
1.空載情況:由于輸出負(fù)載電流時分微小,電壓環(huán)的速度相對會快一些(相對于重載),模塊可能短時間內(nèi)不炸甚至一直不炸機(jī)。
2.帶載越重,電壓環(huán)的響應(yīng)越慢,輸入能量過剩情況約嚴(yán)重! 炸機(jī)速度越快。
3.重載也不一定會燒,現(xiàn)在很多都有斜坡補(bǔ)償和高低壓補(bǔ)償,如果補(bǔ)的比較多,IC還是可以有限流功能。
實(shí)戰(zhàn)問題二:原邊RCD吸收(600V MOS),如果D掉件或者虛焊,265V滿載工作會炸嗎?
虛焊或者掉件,相當(dāng)于沒有RCD了,此時MOS的應(yīng)力會加大,一般是會超出MOS規(guī)格,使MOS工作在雪崩狀態(tài),而且是重復(fù)性的。如果是裕量不足的馬上會炸MOS,也有可能暫時不炸,但進(jìn)一步看:在滿載狀態(tài)下持續(xù)烤機(jī),隨著溫度的身高,MOS應(yīng)力會增加,MOS個體耐受力較弱的也會炸。
實(shí)戰(zhàn)問題三:Bulk電解拿掉能開得起來嗎?有什么影響?
把bulk電容去掉,會導(dǎo)致母線電壓不穩(wěn)定,但還是可以正常開機(jī)。影響主要有以下幾點(diǎn):
1)從空載到滿載的過程,輸出電壓會掉電壓,主要由于在低母線電壓的時候會觸發(fā)原邊過流保護(hù)。
2)此時變壓器會飽和,可能有噪音。
3)如果啟動電路從整流器前接,對啟動不會有影響;如果啟動從母線接,則會使啟動時間更長。
4)此時效率會很差,母線電壓波動越大效率越差。通常提高效率會采用的一招就是增大這電容。
[page]
實(shí)戰(zhàn)問題四:下面的電路圖,從原理上看是否能過安規(guī)?

符合安規(guī)很困難。因?yàn)锳C L/N接入保險(xiǎn)后面的電路,導(dǎo)致安全距離很難符合安規(guī)要求。這里主要說明兩點(diǎn):
1)對于做過安規(guī)的都清楚,有open/short實(shí)驗(yàn),對于IC,任意兩個pin腳短路測試。短路后可以保護(hù)、沒輸出或者炸機(jī),但要保證滿足以下兩點(diǎn):
A.不能有起火、冒煙現(xiàn)象;
B.Hi-pot測試OK。上面的原理圖,當(dāng)將IC的HV pin和FB pin短路,HV的高壓會把連接到FB pin的光耦打壞。在這種情況下去測Hi-pot就會fail,存在安全隱患。那么該如何解決呢?可以在光耦的3、4pin并穩(wěn)壓管,但要注意穩(wěn)壓管的功率大小,選型不對仍然會把光耦打壞。
2)VCC繞組串接電阻。在安規(guī)的異常測試中,比如VCC繞組抽載,如果沒有串電阻可能會有變壓器過熱問題,損壞變壓器的絕緣,導(dǎo)致Hi-pot通不過,存在安全隱患。實(shí)際中可能很多都沒加,還是建議加上,還可以承受一定壓降利于VCC電壓,也可以當(dāng)跳線用。
以上為開關(guān)電源設(shè)計(jì)中實(shí)實(shí)在在出現(xiàn)的問題和炸機(jī)情況,其中包括了多種成因的分析以及實(shí)踐證明。希望以上的問題匯總能夠給工程師們帶來一些參考。降低一些在次級穩(wěn)壓反激電源設(shè)計(jì)中的炸機(jī)狀況。
特別推薦
- 亦真科技XR奇遇!2025西部電博會開啟VR密室/恐怖解密探險(xiǎn)之旅
- 攻克28G PAM4抖動難題!差分輸出VCXO如何重塑光通信時鐘架構(gòu)
- 低至0.0003%失真!現(xiàn)代正弦波發(fā)生器如何突破純度極限
- 蓉城再掀技術(shù)革命!第三十屆國際電子測試測量大會聚焦射頻前沿
- 9.9元搶500元超值觀展禮包!深圳智能工業(yè)展早鳥福利限時開搶
- 3μV噪聲極限!正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
- 選對扼流圈,EMC不再難!關(guān)鍵參數(shù)深度解析
技術(shù)文章更多>>
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展:七大科技領(lǐng)域融合,重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 中國半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果榜單發(fā)布
- 第八屆中國 IC 獨(dú)角獸榜單發(fā)布
- 選對扼流圈,EMC不再難!關(guān)鍵參數(shù)深度解析
- 3μV噪聲極限!正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
DVI連接器
EEPROM
Element14
EMC
EMI
EMI濾波器
Energy Micro
EPB
ept
ESC
ESD
ESD保護(hù)
ESD保護(hù)器件
ESD器件
Eurotect
Exar
Fairhild
FFC連接器
Flash
FPC連接器
FPGA
Fujitsu
Future
GFIVE
GPS
GPU
Harting
HDMI
HDMI連接器
HD監(jiān)控