本文將探討電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗。

 

曾有人問(wèn)，是否可以用下面的公式計(jì)算電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗。

 

 （IC電路電流+流過(guò)電機(jī)的電流）×電源電壓

 

乍一看貌似沒(méi)問(wèn)題，但實(shí)際上是不正確的。“IC電路電流×電源電壓”雖然不錯(cuò)，但“流過(guò)電機(jī)的電流×電源電壓”中卻含有電機(jī)的功耗，因此，正確的做法是應(yīng)先求出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的輸出功耗，再加上IC電路的功耗。

 

輸出功耗通過(guò)“損耗電壓×輸出電流”來(lái)計(jì)算。后續(xù)會(huì)介紹在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC輸出段的H橋電路中的計(jì)算方法，在這里為了便于理解，給出了線性穩(wěn)壓器IC的功耗計(jì)算公式作為簡(jiǎn)單示例。

 

 線性穩(wěn)壓器IC的功耗＝自身功耗(Vin×Iin)＋輸入輸出電壓差(Vin－Vout)×輸出電流(IO)

 

在該公式中，Iin是技術(shù)規(guī)格書(shū)中被稱(chēng)為“I_cc”或“Iq”等的電流，是從Vin引腳流到IC內(nèi)部的輸出穩(wěn)壓控制電路并被消耗的電流。下一項(xiàng)“輸入輸出電壓差×輸出電流”是輸出損耗（消耗）功率。

 

例如，在運(yùn)算放大器IC的輸出電流未達(dá)到毫安級(jí)別的情況下，即使通過(guò)“電源電壓×電源電流”來(lái)計(jì)算，也不會(huì)對(duì)其誤差產(chǎn)生很大的影響，但對(duì)于電源IC或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC這類(lèi)需要供應(yīng)較大輸出電流的IC來(lái)說(shuō)，如果按照“電源電壓×輸出電流”來(lái)計(jì)算，則會(huì)產(chǎn)生很大誤差。

 

這樣的說(shuō)明雖然貌似有些繞彎，但是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗計(jì)算也是相同的思路。

 

有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法

下面將以有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC為例來(lái)說(shuō)明功耗計(jì)算公式。有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的典型驅(qū)動(dòng)方法包括恒壓驅(qū)動(dòng)和PWM驅(qū)動(dòng)，因此先來(lái)介紹恒壓驅(qū)動(dòng)。

 

①恒壓驅(qū)動(dòng)時(shí)的功耗計(jì)算

 

恒壓驅(qū)動(dòng)的情況下，有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗Pc基本上可以通過(guò)以下公式求得：

 

 Pc＝小信號(hào)部電路電流×電源電壓＋流過(guò)電機(jī)的電流×(高邊輸出間的電壓＋低邊輸出間的電壓)

 

下圖是表示功耗發(fā)生在哪部分以及功耗的產(chǎn)生機(jī)制示意圖。

 

 

標(biāo)為“小信號(hào)部”的部分是有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的控制電路，設(shè)這部分的電路電流為I_cc、電源電壓為V_cc、流過(guò)電機(jī)的電流為I_O。此外，Q1～Q4的MOSFET在輸出段的H橋電路中。

 

小信號(hào)部電路的功耗可以簡(jiǎn)單地通過(guò)I_cc×V_cc來(lái)計(jì)算。

 

H橋部分是高邊Q1和低邊Q4導(dǎo)通，I_O從V_cc經(jīng)由Q1流向電機(jī)，并經(jīng)由Q4流向GND。需要求此時(shí)的H橋的功耗（損耗）。MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)可以等效地視為電阻器，其阻值為MOSFET的導(dǎo)通電阻Ron。假設(shè)高邊Q1的導(dǎo)通電阻為RonH、低邊Q4的導(dǎo)通電阻為RonL，則各輸出之間的電壓可用以下公式來(lái)表示。

 

 高邊輸出間的電壓VH＝I_O×RonH

 低邊輸出間的電壓VL＝I_O×RonL

 

由此，即可通過(guò)以下公式來(lái)計(jì)算功耗Pc。

 

Pc＝I_cc×V_cc＋I(xiàn)_o×(VH＋VL)＝I_cc×V_cc＋I(xiàn)O²×(RonH＋RonL)

 

雖然測(cè)量實(shí)際VH和VL的方法很實(shí)用，但是由于MOSFET的Ron已在技術(shù)規(guī)格書(shū)中給出，因此使用最大值來(lái)計(jì)算即可預(yù)估最差的情況。

 

未完待續(xù)

 

 

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