-
滿足數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)的超薄、緊湊型DC/DC穩(wěn)壓器模塊
模擬DC/DC穩(wěn)壓器IC設(shè)計(jì)師和封裝工程師采用創(chuàng)造性的方法推出具更佳熱性能、更低噪聲和更緊湊尺寸的DC/DC穩(wěn)壓器負(fù)載點(diǎn)（POL）解決方案后，凌力爾特公司推出了最新 DC/DC 微型模塊（μModuleTM）穩(wěn)壓器LTM4604，本文詳細(xì)介紹了LTM4604的若干優(yōu)點(diǎn)及相關(guān)性能。
2008-09-25
DC/DC 穩(wěn)壓器 LTM4604 電流模式架構(gòu) POL 系統(tǒng)
-
電子元器件：終端市場未來價格壓力加大
半導(dǎo)體：08年上半年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長10.4％，增速創(chuàng)近5年來的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3％，未來五年年均增長8-9％。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
-
中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
-
SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運(yùn)作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運(yùn)用的效率。
2008-09-24
SiE726DF MOSFET 肖特基二極管
-
TDK量產(chǎn)1608尺寸的高衰減帶通濾波器
TDK公司9月17日宣布，九月份已開發(fā)并量產(chǎn)用于2.4GHz無線局域網(wǎng)和藍(lán)牙1的積層帶通濾波器。雖然該產(chǎn)品為1608尺寸且厚度僅為0.55mm，但實(shí)現(xiàn)了與早期產(chǎn)品相同的低損耗、高衰減2特性，體積較原先縮小40%。
2008-09-19
帶通濾波器
-
微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國為技術(shù)強(qiáng)國
近幾年，我國微特電機(jī)行業(yè)有了長足的發(fā)展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國。
2008-09-18
微特電機(jī)
-
優(yōu)化變換器的FET開關(guān)以改善能量效率
現(xiàn)在越來越多的設(shè)計(jì)師在關(guān)注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍?zhǔn)?，而通過采用先進(jìn)的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產(chǎn)品的開關(guān)特性（開關(guān)速度），他們實(shí)施了先進(jìn)的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低了柵極電荷（Q...
2008-09-18
MOSFET 開關(guān)和傳導(dǎo)損耗 系統(tǒng)級效率 開關(guān)特性 單元密度
-
電子變壓器發(fā)展方向 微型化發(fā)展
電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場經(jīng)濟(jì)和配套的需求，近幾年，經(jīng)營機(jī)制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，民營企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動密集型產(chǎn)品，我國勞動力成本比較低廉，行業(yè)沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進(jìn)一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
-
SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
- 亦真科技XR奇遇！2025西部電博會開啟VR密室/恐怖解密探險之旅
- 攻克28G PAM4抖動難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時鐘架構(gòu)
- 低至0.0003%失真！現(xiàn)代正弦波發(fā)生器如何突破純度極限
- 蓉城再掀技術(shù)革命！第三十屆國際電子測試測量大會聚焦射頻前沿
- 9.9元搶500元超值觀展禮包！深圳智能工業(yè)展早鳥福利限時開搶
- 3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
- 選對扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 中國半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果榜單發(fā)布
- 第八屆中國 IC 獨(dú)角獸榜單發(fā)布
- 選對扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
- 3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
