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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當?shù)目刂苹芈房赡軐е码娫凑袷?、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關重要。
2025-06-25
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破局電動車續(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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戰(zhàn)略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關鍵決議全票通過
意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應用領域領導者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動能。
2025-06-20
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
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破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略
工業(yè)設備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰(zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構工業(yè)充電器性能邊界。
2025-06-19
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高結溫IC設計避坑指南：5大核心挑戰(zhàn)與應對策略
在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領域，高溫環(huán)境對集成電路的性能、可靠性和安全性構成嚴峻挑戰(zhàn)。隨著應用場景向極端溫度條件延伸，高結溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問題日益凸顯，亟需通過創(chuàng)新設計技術突破技術瓶頸。本文將解析高溫對集成電路的深層影響，揭示高結溫帶來的五大核心挑戰(zhàn)，并探討針對性的高功率設計解決方案。
2025-06-18
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高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運行。Ionautics 成立于 2010 年，長期深耕于電離物理氣相沉積領域， HiPSTER 25提供高達 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運行模式，還極大提升了性能與能量效率。
2025-06-13
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安森美SiC Cascode技術：共源共柵結構深度解析
碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導通。
2025-06-12
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低排放革命！貿澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術突破
全球電子元器件及工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商——貿澤電子(Mouser Electronics)，近日發(fā)布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技術系列的新一期內容《低排放、再利用、重塑未來的技術》。本期EIT系列專注于探索那些能夠改善環(huán)境的清潔技術，并提供面向未來的創(chuàng)新工程解決方案，旨在通過技術革新推動可持續(xù)發(fā)展的進程。
2025-06-11
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集成化柵極驅動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
在新能源汽車主驅模塊（如800V平臺）中，多電平拓撲通過串聯(lián)開關器件實現(xiàn)高壓階梯化處理，但分立式驅動方案面臨兩大核心挑戰(zhàn)。
2025-06-10
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挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設計的環(huán)境溫度與結溫攻防戰(zhàn)
在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導體結溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結溫的差值每擴大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺的創(chuàng)新設計證明：通過材料革新（如SiC/GaN）與動態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導’為結溫危機，并拆解工業(yè)級解決方案的底層邏輯。
2025-06-09
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ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn)：Siana案例驗證交鑰匙方案提速無線開發(fā)
意法半導體（STMicroelectronics）與高通技術公司（Qualcomm Technologies）強強聯(lián)手開發(fā)的集成式Wi-Fi 6和藍牙5.4二合一模塊ST67W611M1，現(xiàn)已正式進入量產(chǎn)階段。這標志著雙方合作的“交鑰匙”無線連接解決方案邁入商業(yè)化新里程。與此同時，重要客戶Siana采用該模塊的設計項目已宣告成功落地，顯著縮短了其無線產(chǎn)品的研發(fā)周期。
2025-06-05
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