-
滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術(shù)優(yōu)化組合，實(shí)現(xiàn)成本效益。市場(chǎng)上將推出一款采用全集成ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開(kāi)發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實(shí)現(xiàn)輸出功率達(dá)到200kW以上。此外，相應(yīng)的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)等新興應(yīng)用。
2023-01-10
-
先進(jìn)碳化硅技術(shù)，有效助力儲(chǔ)能系統(tǒng)
人們普遍認(rèn)識(shí)到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
-
簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
-
通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò)，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-16
-
分析自動(dòng)化第三季度市場(chǎng)數(shù)據(jù)，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業(yè)訂單增長(zhǎng)最好，印刷、制藥、暖通空調(diào)、食品機(jī)械和電梯持平，其它行業(yè)都有降低。相關(guān)應(yīng)用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設(shè)備制造商影響有變化，PLC和工控機(jī)用HMI方案和網(wǎng)關(guān)也有市場(chǎng)需求起伏。其中伺服、CNC增長(zhǎng)率為負(fù)，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長(zhǎng)，其中PLC整體表現(xiàn)相對(duì)亮眼，達(dá)到兩位數(shù)以上的增長(zhǎng)率。
2022-12-16
-
新一代1700V IGBT7技術(shù)及其在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器（SVG）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開(kāi)發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級(jí)600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應(yīng)用，然后介紹了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA?3模塊的性能優(yōu)化。通過(guò)與FF600R17ME4對(duì)比，分析了900A和750A的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。最后，針對(duì)級(jí)聯(lián)高壓變頻器和靜止無(wú)功發(fā)生器的應(yīng)用場(chǎng)景，通過(guò)仿真對(duì)比，闡明了新一代IGBT產(chǎn)品在輸出能力和功率損耗等方面為系統(tǒng)帶來(lái)的價(jià)值。
2022-12-15
-
適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺(tái)化設(shè)計(jì)和易擴(kuò)展性是其主要發(fā)展方向之一，其對(duì)半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級(jí)和電流等級(jí)，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺(tái)化設(shè)計(jì)，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導(dǎo)體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級(jí)和對(duì)稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應(yīng)用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設(shè)計(jì)原理、開(kāi)關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長(zhǎng)模塊的使用壽命等關(guān)鍵點(diǎn)。
2022-12-05
-
用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類(lèi)柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
-
通過(guò)利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類(lèi)柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
-
全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車(chē)用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
-
如何使用UCC217XX實(shí)現(xiàn)高精度的溫度采樣？
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅 MOSFET 和IGBT ，具有高級(jí)保護(hù)功能，一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的主要特性介紹有：
2022-11-10
-
IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
- 亦真科技XR奇遇！2025西部電博會(huì)開(kāi)啟VR密室/恐怖解密探險(xiǎn)之旅
- 攻克28G PAM4抖動(dòng)難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時(shí)鐘架構(gòu)
- 低至0.0003%失真！現(xiàn)代正弦波發(fā)生器如何突破純度極限
- 蓉城再掀技術(shù)革命！第三十屆國(guó)際電子測(cè)試測(cè)量大會(huì)聚焦射頻前沿
- 9.9元搶500元超值觀展禮包！深圳智能工業(yè)展早鳥(niǎo)福利限時(shí)開(kāi)搶
- 3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
- 選對(duì)扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果榜單發(fā)布
- 第八屆中國(guó) IC 獨(dú)角獸榜單發(fā)布
- 選對(duì)扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
- 3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
