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最新BGA內插器結合速度最快的邏輯分析儀進行DDR4探測

安捷倫日前宣布推出兩款內插器解決方案，可結合邏輯分析儀用于測試 DDR4 和 DDR3 DRAM 設計。這兩款內插器解決方案均能快速且精確地捕獲地址、命令和數(shù)據(jù)信號，以進行設計調試和驗證測量。

2014-05-19
DRAM供應緊張主流4GB DDR3模組價格半年來增長44%

在DRAM的核心PC市場持續(xù)疲軟之際，服務器與移動產業(yè)抵消了PC需求的持續(xù)下滑，導致DRAM供應緊張，進而推動價格上漲。今年3月，主流4GB DDR3模組的價格從去年12月的16美元上升到了23美元。DRAM產業(yè)已經走出谷底，正在恢復增長。

2013-05-30
Molex推出業(yè)內最低的底座面高僅1.10mm存儲器技術

近日，Molex公司推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM存儲器模塊插座產品組合。超低側高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內最低；并且壓接插座的針孔型順應引腳更小，有效節(jié)省了寶貴的PCB空間，適用于較高密度的電子線路設計。

2013-05-20
【盤點】存儲模塊連接器，你用對了嗎？

筆記本內存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇，請看本文詳細解讀？

2013-01-09
IDT推出最低功率DDR3內存緩沖芯片

IDT推出最低功率DDR3內存緩沖芯片MB3518，擁有獨有的調試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。

2012-11-13
ddr3和ddr2的區(qū)別

DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝。

2012-07-04
DDR3引領DRAM模組市場，完全占據(jù)主導地位

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場追蹤報告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場。

2012-05-03
擴展探頭帶寬以提高信號保真度

由于存儲器設計日趨復雜和緊湊，數(shù)據(jù)速率越來越高，使用BGA探頭探測DDR DRAM越來越受歡迎并已成為一種需求。DDR3和DDR4數(shù)據(jù)速率從800MT/s增加到約3200MT/s。

2011-11-18
七月上旬DRAM合約均價直逼金融風暴時期

根據(jù)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調查，七月上旬合約價再度呈現(xiàn)下跌的價格走勢，DDR3 2GB及4GB合約均價分別在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各為7.25%與7.46%，此價格已經逼近金融風暴時期的最低價格水位，從市場面來觀察，由于三月日本地震過后，PC-OEM廠曾提升手上庫存水位，以防出貨發(fā)生斷煉危機，亦讓五月合約價格起漲最高至19美元，但由于全球市場對于下半年PC出貨數(shù)字趨向保守，PC-OEM廠亦紛紛調降出貨目標，甚至六月部份合約客戶取消原本要進貨的數(shù)量，調降目前高達4-6周左右的庫存水位，故七月上旬合約價方面，在PC-OEM客戶采購意愿不高與DRAM廠有出貨壓力下，合約價格已轉為買方主導，上旬合約價一路下探至15.5美元價位，七月下旬合價格不排除將繼續(xù)探底。

2011-07-18
Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應用于DDR存儲器供電

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。

2011-07-05
泰科電子推出超低型DDR3雙列直插式內存模組插槽

泰科電子（TE）按照JEDEC工業(yè)標準推出了新型超低型VLP （very low-profile）第三代雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR3）雙列直插式內存模組（DIMM）插槽。

2010-12-13
2010年半導體設備產業(yè)將勁揚113.2%

Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術升級，將帶動 2010年半導體資本設備市場的成長。對40奈米和45奈米設備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。

2010-06-21

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