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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計(jì)
Vishay宣布推出具有長(zhǎng)久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計(jì)。
2008-07-11
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
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Vishay的電點(diǎn)火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎(jiǎng)
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會(huì)和頒獎(jiǎng)典禮上，其電點(diǎn)火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎(jiǎng)。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對(duì)便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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NB3N3002/5573：安森美PureEdge高性能時(shí)鐘產(chǎn)生器
安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)展其PureEdge高性能時(shí)鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列，推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。
2007-12-13
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PolySwitch BD280系列：Tyco Electronics汽車電路應(yīng)用電路保護(hù)器件
泰科電子今天宣布針對(duì)汽車市場(chǎng)推出新系列的瑞侃PolySwitch電路保護(hù)器件。這種可插拔的PolySwitch保護(hù)器件可以用在載客汽車和重型卡車的線路中，實(shí)現(xiàn)自復(fù)過電流保護(hù)，它的端子寬度為2.8 mm，便于使用，可以用在12V的汽車系統(tǒng)中一一對(duì)應(yīng)地取代小型熔斷器和II型雙金屬電路保護(hù)器件。
2007-12-10
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南方芯源成為Philips全球MOSFET供應(yīng)商
2007年5月1日，經(jīng)過5輪審核及多次產(chǎn)品可靠性認(rèn)證，Samwin正式成為Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供應(yīng)商。首批通過認(rèn)證的產(chǎn)品有：SW P 2N60，SW P 4N60及SW P 7N60產(chǎn)品，用于Philips 原廠生產(chǎn)的螢光燈Ballast。
2007-05-07
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模擬ic是什么，模擬ic的作用，特點(diǎn)及分類
模擬ic是什么，模擬ic的作用，特點(diǎn)及分類
1970-01-01
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