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“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進(jìn)行中（上）
由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)芯、 強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續(xù)第二天多場行業(yè)論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產(chǎn)業(yè)最新的技術(shù)成果，聚集了眾多國內(nèi)外專家學(xué)者、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機(jī)制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進(jìn)趨勢與
2022-12-29
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“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進(jìn)行中（下）
?由深圳市人民政府、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)芯強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續(xù)第二天多場行業(yè)論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產(chǎn)業(yè)最新的技術(shù)成果，聚集了眾多國內(nèi)外專家學(xué)者、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機(jī)制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進(jìn)趨勢與熱點(diǎn)
2022-12-29
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2022 中國（深圳）集成電路峰會隆重召開
【深圳坪山格蘭云天大酒店，2022年12月29日，深圳市半導(dǎo)體協(xié)會】由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），于2022年12月29日至30日，在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。本屆峰會聚集了國內(nèi)外著名院士、專家學(xué)者、政府官員、技術(shù)大咖和企業(yè)領(lǐng)袖，圍繞集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)與安全機(jī)制建設(shè)、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術(shù)演進(jìn)趨勢與熱點(diǎn)應(yīng)用、資本整合與運(yùn)作模式創(chuàng)新、芯片與整機(jī)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動等方向，共同探討新形勢下的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，助推我國創(chuàng)新發(fā)展優(yōu)勢，加快科技強(qiáng)國建設(shè)。
2022-12-29
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ICS 2022峰會直通車丨“線上線下”相結(jié)合，高效務(wù)實(shí)開峰會
?為減少人員聚集，降低疫情傳播風(fēng)險 ，2022年中國（深圳）集成電路峰會（以下簡稱：ICS 2022峰會）將以“線上會議+線下會議”方式舉行。由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組擬定以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題，于2022年12月29日-30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉辦（憑綠碼即可參會）。
2022-12-28
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雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 在電路保護(hù)中的應(yīng)用
據(jù)介紹，Qorvo 是一家專注于射頻領(lǐng)域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術(shù)都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 UnitedSiC 公司的收購，就擴(kuò)展 Qorvo 在高功率應(yīng)用方面的市場機(jī)會，這部分業(yè)務(wù)也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門。
2022-12-28
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淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)
功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢主導(dǎo)了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當(dāng)下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體以其優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)特性使得功率半導(dǎo)體器件的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)硅材料的限制。
2022-12-26
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基于硅納米波導(dǎo)倏逝場耦合的超緊湊光學(xué)式MEMS加速度計
近些年，MEMS加速度計因其體積小、功耗低、易于與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續(xù)關(guān)注。目前已經(jīng)開發(fā)了電容、壓阻、壓電、光學(xué)等原理的加速度計，以檢測輸入加速度引起的檢測質(zhì)量塊位移。在這些技術(shù)中，光學(xué)方案已被證明具有更高的精度和穩(wěn)定性，并且不會受到電磁干擾（EMI）。
2022-12-26
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郵票式SoM模塊，加快工業(yè)以太網(wǎng)應(yīng)用
現(xiàn)代工廠中，在設(shè)備上添加工業(yè)以太網(wǎng)功能已經(jīng)成為已成為制造業(yè)搶抓機(jī)遇、塑造優(yōu)勢的“必選項”。然而為實(shí)現(xiàn)工業(yè)以太網(wǎng)功能而修改設(shè)備的全部設(shè)計，這在時間和成本方面都造成了巨大的開發(fā)負(fù)擔(dān)。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，瑞薩推出了千兆工業(yè)以太網(wǎng)SoM解決方案，該方案使用瑞薩的電源管理IC、光電耦合器、EEPROM和其它混合信號器件，在SoM+載板架構(gòu)中提供可配置的工業(yè)以太網(wǎng)。
2022-12-23
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物聯(lián)網(wǎng)原型開發(fā)，如何能夠“快”起來？
根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，2021年全球物聯(lián)網(wǎng)支出規(guī)模達(dá)6,902.6億美元，并有望在2026年達(dá)到1.1萬億美元，2022年至2026年的年復(fù)合增長率（CAGR）為10.7%。同時，IoT AnaIytics的研究報告也顯示，2020年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備連接數(shù)達(dá)113億，首次超過非物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備連接數(shù)，預(yù)計2025年將達(dá)到270億，復(fù)合增長率更是高達(dá)22%！在可以預(yù)見的未來，物聯(lián)網(wǎng)中蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)，這已是不爭的事實(shí)。
2022-12-23
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先進(jìn)碳化硅技術(shù)，有效助力儲能系統(tǒng)
人們普遍認(rèn)識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實(shí)現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
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