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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應(yīng)用的理想選擇
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導(dǎo)體市場中正在迅速普及，因?yàn)橐恍┳畛醯目煽啃詥栴}已經(jīng)解決，并且價(jià)格水平已經(jīng)達(dá)到了非常有吸引力的點(diǎn)。隨著市場上的器件越來越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個(gè)器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發(fā)展趨勢，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產(chǎn)品特性。
2022-10-20
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應(yīng)用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動(dòng)級(jí)成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動(dòng)（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號(hào)最豐富的國產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達(dá)到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
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LED串中升壓電源調(diào)節(jié)電流的示例
在此配置中，外設(shè)配置為產(chǎn)生大多數(shù)電流模式的固定頻率電源。COG是互補(bǔ)輸出發(fā)生器。其功能是通過上升沿和下降沿輸入構(gòu)成的可編程死區(qū)生成互補(bǔ)輸出。CCP配置為生成可編程的頻率上升沿。當(dāng)電流超出斜率補(bǔ)償器的輸出時(shí)，比較器C1生成下降沿。CCP可與C1結(jié)合來產(chǎn)生占空比。一些拓?fù)洌ㄈ缟龎?、反激或SEPIC）需要占空比。運(yùn)放OPA用于提供反饋和補(bǔ)償。
2022-10-19
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ADI和Keysight Technologies強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手 共推相控陣技術(shù)加速部署
中國，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控陣技術(shù)的推廣與部署。相控陣技術(shù)能夠簡化與創(chuàng)建衛(wèi)星通信、雷達(dá)和相控陣系統(tǒng)相關(guān)的開發(fā)工作，是實(shí)現(xiàn)無處不在的連接和泛在檢測的關(guān)鍵。
2022-10-18
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瑞薩電子完成對Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對提供4D成像雷達(dá)解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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貿(mào)澤電子提供豐富資源幫助工程師打造未來自主移動(dòng)機(jī)器人
專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為工程師提供有關(guān)工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用的豐富信息，包括加速設(shè)計(jì)和開發(fā)自主移動(dòng)機(jī)器人 (AMR) 所需的資源和產(chǎn)品。
2022-10-17
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善用可靠且性價(jià)比高的隔離技術(shù)來應(yīng)對高電壓設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
本文將概述電隔離，解釋高壓系統(tǒng)的常用隔離方法，并展示德州儀器 (TI) 隔離集成電路 (IC) 如何幫助設(shè)計(jì)人員可靠地滿足隔離需求，同時(shí)縮小解決方案尺寸并降低成本。
2022-10-17
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貿(mào)澤電子新增36家品牌制造商 進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品分銷陣容
2022年10月13日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 截止到2022年8月底新增了36家制造商，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品分銷陣容。貿(mào)澤目前分銷1200多家品牌制造商，為全球設(shè)計(jì)工程師客戶群、元器件采購人員、采購代理、教育工作者和學(xué)生提供廣泛的產(chǎn)品選擇。
2022-10-13
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芯片測試大講堂——MIPI D-PHY
大家好，由是德科技與上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心（上海ICC）聯(lián)合執(zhí)筆的芯片測試系列與大家見面了，本期內(nèi)容將聚焦于MIPI D-PHY測試，其中的內(nèi)容匯集了雙方諸位資深工程師的一手經(jīng)驗(yàn)，摘要如下：
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
- 即插即用的6TOPS算力：慧為智能RK3588 SMARC核心板正式商用
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