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如何通過(guò)優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來(lái)的電氣性能挑戰(zhàn)
在本文的第一部分——《如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來(lái)像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)，你不可避免地會(huì)降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對(duì)熱性能的影響，以及如何通過(guò)優(yōu)化芯片位置和模塊布局來(lái)減輕這種影響?，F(xiàn)在，讓我們來(lái)看看我們?nèi)绾文軌蚋纳齐姎庑阅?。同樣，我們將以采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊為例，該模塊針對(duì)通用驅(qū)動(dòng)（GPD）、商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛（CAV）、不間斷電源（UPS）和太陽(yáng)能等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2023-04-10
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如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)
尺寸和功率往往看起來(lái)像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
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為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路
對(duì)于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時(shí)IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇，如空調(diào)、加熱、通風(fēng)和空調(diào)（HVAC）以及熱泵。
2023-02-20
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
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具有集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
通過(guò)集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設(shè)計(jì)的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過(guò)減少設(shè)計(jì)中的這些元素，設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)顯著的成本節(jié)約。
2023-02-17
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MOS管開(kāi)通過(guò)程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開(kāi)通過(guò)程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10
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如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗
現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成，節(jié)省了不少精力，不得不說(shuō)這對(duì)工程師來(lái)說(shuō)是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過(guò)的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開(kāi)這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07
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優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動(dòng)汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對(duì) Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓?fù)?、系統(tǒng)和應(yīng)用。
2023-01-28
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結(jié)構(gòu)，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來(lái)捋一捋。
2023-01-27
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低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)，滿足光伏應(yīng)用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術(shù)。950V IGBT結(jié)構(gòu)基于微溝槽理念，與典型1200V技術(shù)相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開(kāi)關(guān)損耗顯著降低。通過(guò)分析應(yīng)用需求與功率模塊設(shè)計(jì)的相互作用，本文確定了功率模塊的應(yīng)用結(jié)果和優(yōu)化路徑。得益于經(jīng)優(yōu)化的功率模塊設(shè)計(jì)和采用950V技術(shù)，近期推出的無(wú)基板Easy3B解決方案實(shí)現(xiàn)了全集成1500V ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的額定電流達(dá)到400A，而雜散電感低至僅15nH。
2023-01-16
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC自舉電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
本文講述了一種運(yùn)用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。不同經(jīng)驗(yàn)的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)功耗主要取決于開(kāi)關(guān)速度。因此，對(duì)于絕大部分本文闡述的大功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，開(kāi)關(guān)特性是非常重要的。
2023-01-13
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如何優(yōu)化隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路?
柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器，來(lái)控制功率MOSFET或IGBT的柵極。它為MOSFET 或 IGBT 的柵極輸入供應(yīng)所需的峰值充電電流，來(lái)打開(kāi)器件。該目標(biāo)通過(guò)向功率半導(dǎo)體的柵極提供正壓(VOH)來(lái)實(shí)現(xiàn)。若要關(guān)閉MOSFET或IGBT，需拉起驅(qū)動(dòng)器件的柵極至0電壓(VOL)或更低。
2023-01-10
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