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IR3551：IR擴(kuò)充PowIRstage系列以提升擴(kuò)展性與性能
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3551以擴(kuò)充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應(yīng)用。
2012-02-17
IR3551 IR PowIRstage
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LED 產(chǎn)品價(jià)格本季跌幅趨緩
LED平均報(bào)價(jià)在去年第4季受到出清庫存影響，單季跌幅高達(dá)1成，LEDinside表示，經(jīng)過上季報(bào)價(jià)大幅下跌，加上新產(chǎn)品推出效應(yīng)，預(yù)估本季平均報(bào)價(jià)跌幅可望縮小趨緩。
2012-02-17
LED 電視 LED封裝
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全球半導(dǎo)體營業(yè)額今年小幅增
由于今年全球經(jīng)濟(jì)前景仍充滿不確定性，以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的庫存量降低速度不夠快，無法刺激新增的需求，因此2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，最佳的狀況僅能小幅成長。
2012-02-17
半導(dǎo)體 晶圓
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LED設(shè)備需求逐漸從價(jià)格驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向技術(shù)驅(qū)動(dòng)
據(jù)了解，LED設(shè)備需求逐漸從價(jià)格驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向技術(shù)驅(qū)動(dòng)，LED設(shè)備呈現(xiàn)更復(fù)雜更高效率的趨勢。2011年，LED相關(guān)設(shè)備銷售突出。然而2012年的資本輸出前景愁云密布，許多市場分析表示，今年MOCVD設(shè)備銷售一直都在下降，今年將降18%。
2012-02-17
LED led MOCVD
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UCD3138：德州儀器推出新一代數(shù)字電源控制器
日前，德州儀器 (TI)為優(yōu)化AC/DC 及隔離式 DC/DC 電源應(yīng)用推出業(yè)界最高集成度且可配置數(shù)字電源管理控制器，進(jìn)一步壯大其豐富的模擬及數(shù)字電源管理解決方案陣營。該 UCD3138為設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新途徑，可為服務(wù)器、電信整流器以及大功率 DC/DC 模塊中各種電源拓?fù)涮岣唠娫疵芏扰c可靠性。
2012-02-17
UCD3138 德州儀器 電源控制器
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基于圖像處理技術(shù)的汽車牌照識(shí)別系統(tǒng)設(shè)計(jì)
智能交通系統(tǒng)的研究領(lǐng)域十分廣闊，各國各地區(qū)的側(cè)重點(diǎn)也有所不同。如：電子收費(fèi)系統(tǒng)是ITS在公路收費(fèi)領(lǐng)域的具體表現(xiàn)，可解決收費(fèi)站的“瓶頸”制約，較好地緩解收費(fèi)站的交通擁擠、排隊(duì)等候以及環(huán)境污染等問題。為了滿足這些需求，十分有必要在智能交通管理系統(tǒng)引入車輛牌照自動(dòng)識(shí)別技術(shù)。
2012-02-17
智能 電子 圖像 處理器
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電子元器件市場被有力拉升景氣恢復(fù)在即
去年電子行業(yè)持續(xù)下滑跌入低谷，元器件行業(yè)受其影響整體景氣也隨之陷入低迷，今年經(jīng)過復(fù)蘇，并受到觸控顯示、OLED液晶面板以及中低端智能手機(jī)的帶動(dòng)之下，電子元器件行業(yè)整體處于穩(wěn)定上升狀態(tài)，市場被有力拉升景氣恢復(fù)在即。
2012-02-16
電子元器件 OLED LED 液晶顯示 智能手機(jī)
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全球光伏Q1增長超預(yù)期
2011年特別是下半年，太陽能光伏整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)持續(xù)下跌。根據(jù)百川資訊的數(shù)據(jù)，2011年5月中旬國際多晶硅價(jià)格為75美元/千克，此后一路下跌至2012年2月初的31.75美元/千克。與此同時(shí)，硅片、電池、組件等光伏下游產(chǎn)品也紛紛出現(xiàn)較大幅度的下跌。
2012-02-16
光伏 可再生能源
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TE推出業(yè)界最低電容硅靜電放電保護(hù)器件用于高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用
TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
TE 硅靜電放電保護(hù)器件 SESD 保護(hù)器件
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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